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拥有高度自主知识产权国内首条8/22nm ReRAM芯片生产线诞生
来源:
2022-02-17

  昕原半导体主导建设的国内首条28/22nm ReRAM(阻变存储器)12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作,实现了中试线工艺流程的通线,并成功流片(试生产)。

    传统CMOS代工厂或因囿于资源所限,迭代速度较慢,从而影响工艺开发进度,而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度,但没有标准的12寸量产产线,实验成果往往很难走向量产。

   昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻变存储器)12寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处,迭代速度快, 产线灵活,拥有自主可控的知识产权,使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

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